晶体管的耗散功率的定义

　　晶体管的耗散功率。功率管是电路中容易受到损坏的器件， 损坏的大部分原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。晶体管耗散功率的大小取决于内部结温TJ, 当 TJ超过允许值 TJM后， 电流将急剧增大而使晶体管烧毁。硅管允许的结温一般为 125～200 ℃，锗管为 85 ℃左右。

　　耗散功率是指在一定条件下使结温不超过大允许值时的电流与电压的乘积。在晶体管正常工作时， 耗散功率 PC为PC= PD+ PI- PO（ 1）式中PD为电源供给功率， PI为输入功率， PO为输出功率。一般输入功率是很小的， 输出功率与电源供给功率之比定义为晶体管的工作效率， 即 G= PO/ PD.考虑到开路、短路、失谐等情况，一般取晶体管的大耗散功率等于电源供给功率， 即PCM= PD= PO/ G（ 2）管子消耗的功率越大， 结温越高。

　　要保证管子结温不超过允许值， 就必须将产生的热散发出去 .散热条件越好， 则对应于相同结温允许的管耗越大，输出功率也就越大 ,热阻为了描述器件的散热情况， 引入热阻的概念 ， 用热阻表示热传输时所受的阻力，可以认为是热学的“欧姆”定律，一般把从管芯到管壳（ 安装基座） 这部分热阻，称为晶体管的内热阻（ RIN），又称为器件级热阻（ RJC）。